МИСиС создала однофотонный детектор для встраивания в квант‑чипы

Анастасия Максименко Редактор ленты новостей

НИТУ МИСиС сообщил о разработке сверхчувствительного детектора, способного обнаруживать отдельные фотоны с высокой эффективностью и интегрироваться в квантовые чипы на полупроводниках и новых материалах. По словам Алексея Невзорова (ЦК НТИ «Квантовые коммуникации», МИСиС), сочетание ниобата лития и сверхпроводящего покрытия на основе молибдена и рения открывает путь к компактным квантовым устройствам, включая оптико‑радиочастотные преобразователи для квантового интернета.

Детекторы одиночных фотонов — ключевой компонент квантовых вычислителей, систем шифрования и сенсоров. Традиционные сверхпроводящие сенсоры обычно требуют высокотемпературной обработки (600–800 °C), что мешает встраиванию в чипы на GaAs и LNOI.

Российская команда показала, что детекторы на сплаве Mo‑Re можно выращивать при комнатной температуре на подложках из ниобата лития методом магнетронного распыления. В испытаниях датчики работали в одно‑ и многофотонном режимах на широком спектре — от видимого до ближнего ИК.

Заявлена эффективность обнаружения до 73% и 98% на двух ключевых длинах волн, используемых фотонными чипами, причём при относительно высокой рабочей температуре для аморфных сверхпроводников. Разработкой заинтересовалась российская компания, специализирующаяся на квантовых сенсорах, сообщает ТАСС.

Читайте также:

Источник: samaraonline24.ru

Читайте в Дзен