Учеными создан материал для энергоэффективной электроники нового поколения
Ученые из Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ", Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН и Санкт-Петербургского государственного университета впервые синтезировали кристаллы оксида галлия, легированные железом, которые демонстрируют магнитные свойства при комнатной температуре. Это открывает новые горизонты для создания высокоэффективной памяти для будущих электронных устройств. Об этом сообщает издание ТАСС.
Команда исследователей сообщила, что им удалось вырастить монокристаллы оксида галлия с высоким содержанием железа, используя раствор-расплавный метод. В этих кристаллах были обнаружены признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре, что является значительным достижением, как отметил профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ "ЛЭТИ" Камиль Гареев.
Для развития спинтроники необходимы полупроводники, которые могут управлять как электрическими, так и магнитными свойствами. Такие материалы могут привести к созданию новых типов памяти, обладающих высокой энергонезависимостью и энергоэффективностью. Исследователи впервые изучили магнитные характеристики оксида галлия с добавлением железа, что может стать перспективной заменой кремния в силовой электронике.
По словам Владимира Николаева, заведующего лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ им. Иоффе РАН, работа направлена на то, чтобы оксид галлия приобрел ферромагнитные свойства, что в будущем позволит создать электронные устройства на основе спинтроники. Это обеспечит быструю передачу энергии в линиях высокого напряжения и надежное магнитное хранение данных на одном кристалле.
