Запатентован метод глубокой очистки нанопорошка для микроэлектроники
Ученые из Нижегородского университета Лобачевского разработали и запатентовали метод глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния, предназначенного для микроэлектроники. Также был создан подход для комплексного управления свойствами этих наночастиц. Об этом пишет ТАСС.
По словам представителей университета, новая разработка позволяет получать частицы с заданными размерами и формой, а также с высокой однородностью, стабильностью и минимальным содержанием примесей, что является критически важным для производства микросхем.
Ксения Отвагина, руководитель исследования и кандидат химических наук, пояснила, что данное изобретение связано с очисткой аморфного диоксида кремния и может быть использовано в химико-механической полировке полупроводниковых пластин, а также в процессах, требующих высокочистых абразивных наноматериалов.
Ученые также разработали технологическую линию и регламент для получения продукта, что позволило создать устойчивую суспензию, готовую к апробации с индустриальным партнером. В условиях ограничений поставок возникла необходимость в создании отечественных аналогов, которые могут сопоставляться с зарубежными.
Качество обработки пластин напрямую зависит от размера, формы и однородности наночастиц, что влияет на надежность и производительность будущих электронных устройств. Поэтому разработка материалов с контролируемыми характеристиками является важным шагом для развития российской микроэлектроники и уменьшения зависимости от импорта.
Создание отечественной компонентной базы для микроэлектроники стало одной из ключевых задач для страны. Запатентованная технология демонстрирует, как университетская наука отвечает на вызовы времени и потребности индустрии. Цель состоит в обеспечении полного цикла от фундаментальных исследований до серийного производства, что подтверждается успешным масштабированием процесса и переходом к испытаниям с индустриальным партнером.
Больше новостей и эксклюзивных видео смотрите в канале Самара Онлайн 24 в MAX
