CXMT начала массовый выпуск пятого поколения памяти DRAM
Китайская компания ChangXin Memory Technologies анонсировала старт массового производства платформы DRAM пятого поколения. Новая разработка отличается высокой производительностью и энергоэффективностью. Об этом сообщает Ferra.
Технология включает расстояние между элементами в 11,95 нанометра и применяет четырехкратное формирование рисунка. Вице-президент CXMT Ло Сяодун отметил, что процесс сопоставим с современными серийными узлами.
На платформе созданы два чипа LPDDR5X по 24 гигабита в различных корпусах. Они способны хранить на 50% больше данных по сравнению с предыдущими моделями и уже запущены в массовое производство, как сообщает Reuters.
CXMT также подчеркивает, что пятое поколение обеспечивает минимум на 50% больше необработанных кристаллов с одной пластины по сравнению с четвертым поколением, при базовом объеме восемь гигабит. Этот показатель рассчитывается до учета дефектов.
Разработка осуществлялась с использованием моделирования и в сотрудничестве с китайскими производителями оборудования. На мировом рынке DRAM CXMT конкурирует с такими гигантами, как Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology.
