Инженеры РТУ МИРЭА ускорили обработку сапфира в 6,5 раз

Инженеры РТУ МИРЭА значительно увеличили скорость обработки сапфира для полупроводниковой промышленности, достигнув ускорения в 6,5 раз. Об этом сообщают сайт Ferra и издание «Мой Альметьевск». Об этом рассказывает ProGorodNSK.ru.

В процессе работы был использован алмазный инструмент с жестким креплением зерен, который заменил свободный абразив. Это изменение позволило перейти от ударного разрушения к сдвиговому микрорезанию, что привело к увеличению скорости съема материала и уменьшению дефектного слоя на 30–40%. Шероховатость поверхности снизилась до уровня ниже 0,07 мкм.

Данная технология критически важна для производства тонких подложек, используемых в светодиодах, лазерах и СВЧ-микроэлектронике. Для черновой обработки наилучшие результаты показал термостабилизированный инструмент с крупным зерном, который обеспечил скорость снятия почти в 6,5 раз выше, чем у аналогов. На завершающем этапе оптимальным оказался инструмент с графитовыми добавками, что улучшает теплоотвод. Уменьшение поврежденного слоя особенно актуально для пластин толщиной менее 200 мкм, так как микротрещины могут привести к их разрушению на следующих этапах.

Технология была протестирована на конференции «Перспективные материалы и технологии» и готова к внедрению. Старший научный сотрудник центра Виктор Кадомкин отметил, что уменьшение нарушенного слоя повышает механическую прочность тонких приборных пластин, сокращает время финишной полировки и снижает риск брака. В настоящее время исследователи продолжают оптимизацию составов инструментов для финишного шлифования.