МФТИ: открытие повышает эффективность нанотранзисторов

Физики МФТИ выявили ранее неизвестный механизм туннелирования электронов через ультратонкие барьеры в нанотранзисторах. Эффект называется «многоэтапным» туннелированием и открывает возможности для создания нанотранзисторов с повышенной энергоэффективностью, сообщили в пресс-службе МФТИ.

Принцип работы эффекта

Как пояснил Дмитрий Свинцов, заведующий лабораторией оптоэлектроники двумерных материалов, процесс можно сравнить с перепрыгиванием через реку с промежуточными камнями: электроны используют два близких дефекта в барьере, туннелируя через них с небольшими потерями энергии, что оказывается выгоднее прямого прохождения.

Применение в нанотранзисторах

Ранее считалось, что электроны преодолевают барьер без потерь энергии. Новое открытие показывает, что туннелирование через два дефекта позволяет управлять током при меньших управляющих напряжениях. Это может улучшить энергоэффективность и точность работы транзисторов, а также расширить возможности спектроскопии сверхвысокой точности.

Перспективы для электроники

Эффект позволит создавать новые туннельные спектроскопы и разрабатывать методы диагностики материалов следующего поколения. Совместные исследования российских и международных ученых из Японии, Сингапура, Китая и Армении помогают глубже понять процессы внутри нанотранзисторов и ускоряют внедрение передовых технологий в электронику.

Больше новостей и эксклюзивных видео смотрите в канале Самара Онлайн 24 в MAX.

Читайте также:

• Покупаете на Wildberries и Ozon? Вы можете неожиданно попасть под внимание налоговой
• Вы удивитесь, как это просто: одна фраза, после которой мошенники исчезают
• Вы тратите утро зря! Один рецепт за 30 минут — и завтраки на всю неделю готовы
• Вы покупали не то масло! Роскачество назвало лучшие бренды из магазинов
• Не спешите радоваться теплу: правда о погоде этой весной, о которой молчали