Samsung представила флеш-память BV-NAND V10 и zHBM для ИИ

Компания Samsung продемонстрировала новые технологии в сфере памяти и накопителей на выставке FMS 2026. Среди новинок — флеш-память BV-NAND V10 и решение zHBM, разработанное для искусственного интеллекта. BV-NAND V10 стала первой в мире памятью с более чем четырьмя сотнями слоев ячеек, созданных с использованием уникальной технологии. Плотность хранения этой модели возросла на пятьдесят восемь процентов по сравнению с предыдущей версией. Об этом сообщает Togliatti24.

Решение zHBM для ИИ устанавливается на ускорители, что позволяет сократить путь передачи данных. Это обеспечивает восьмикратное увеличение скорости работы и десятикратное повышение плотности по сравнению со стандартной HBM5, при этом потребление энергии снижается в три раза.

Также была представлена флеш-память zNAND-O, предназначенная для устройств, работающих на «переднем крае» ИИ, таких как смартфоны и умные камеры. Ещё одной новинкой стала оперативная память LPDDR5X-PIM, способная обрабатывать часть данных внутри себя, не нагружая процессор.